Please use this identifier to cite or link to this item: http://ithesis-ir.su.ac.th/dspace/handle/123456789/4460
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributorWisit SOMSORODen
dc.contributorวิศิษฏ์ โสมโสรสth
dc.contributor.advisorMontri Aiempanakiten
dc.contributor.advisorมนตรี เอี่ยมพนากิจth
dc.contributor.otherSilpakorn Universityen
dc.date.accessioned2023-08-11T02:28:55Z-
dc.date.available2023-08-11T02:28:55Z-
dc.date.created2023
dc.date.issued4/7/2023
dc.identifier.urihttp://ithesis-ir.su.ac.th/dspace/handle/123456789/4460-
dc.description.abstractIn this thesis, the bulk and monolayers orthorhombic phase Silicondiphosphidediarsenide (Si(PxAs(1-x))2) solid solution was studied by using density functional theory (DFT). All possible solid-solution crystal structure models were created by replacing arsenic (As) atoms with phosphorus (P) atoms in the orthorhombic Silicondiarsenide crystal model then calculated the total energy (E0) and the density of state (DOS) of the solid-solution model by using Perdew-Burke-Ernzerhof generalized gradient approximation (PBE-GGA) pseudopotential. The thermodynamic stability of solid solutions was studied by calculating the energy of mixing from the total energy. The result suggests there are thermodynamic stable structures for bulk Si(PxAs(1-x))2 solid-solution but it cannot find that structure because there are too many possible bulk Si(PxAs(1-x))2 solid-solution crystal structures. For the monolayer case, there are 2 thermodynamic stability Si(PxAs(1-x))2 solid-solutions (x = 0.5, x = 0.75) and It is possible to synthesize them in the laboratory. The monolayer Si(PxAs(1-x))2 with x = 0.5 and x = 0.75 exhibits an orthorhombic crystal shape and a bandgap that falls between SiP2 and SiAs2. It has potential applications in polarized photodetection and catalysis.en
dc.description.abstractในวิทยานิพนธ์ฉบับนี้ ผู้วิจัยศึกษาเกี่ยวกับสารละลายของแข็งซิลิคอนไดฟอสไฟด์อาร์เซไนด์ (Silicondiphosphidearsenide, Si(PxAs(1-x))2) ที่มีโครงสร้างผลึกแบบก้อนผลึกและแบบชั้นเดี่ยวด้วยทฤษฎีฟังก์ชันนอลความหนาแน่น โดยการนำต้นแบบโครงสร้างผลึกสารละลายคือซิลิคอนไดอาร์เซไนด์มาแทนที่ตำแหน่งอะตอมอาร์เซนิก (Arsenic, สารหนู, As) ด้วยฟอสฟอรัส (Phosphorus, P) ทีละตำแหน่งจนครบทุกรูปแบบที่เป็นไปได้ จากนั้นนำโครงสร้างผลึกที่เป็นไปได้ทั้งหมดไปคำนวณหาพลังงานรวมระบบและความหนาแน่นของสถานะ (density of states, DOS) โดยใช้ศักย์เทียม (pseudo-potential) การประมาณความชันทั่วไปแบบเพอร์ดิวเบิร์กเอิร์นเซอร์ฮอฟ (Perdew-Burke-Ernzerhof generalized gradient approximation, PBE-GGA) การศึกษาความเสถียรทางอุณหพลศาสตร์ทำได้โดยการคำนวณพลังงานที่ใช้ในการผสมจากพลังงานรวมระบบที่คำนวณได้ จากผลการคำนวณพบว่าโครงสร้างผลึกสารละลายของแข็งที่มีโครงสร้างซิลิคอนไดฟอสไฟด์อาร์เซไนด์แบบก้อนผลึกมีรูปแบบที่มีความเสถียรทางอุณหพลศาสตร์ แต่ไม่สามารถคำนวณหารูปแบบโครงสร้างดังกล่าวทั้งหมดได้เนื่องจากรูปแบบโครงสร้างของสารละลายของแข็งที่มีโอกาสเกิดขึ้นได้มีจำนวนมาก และสารละลายของแข็งซิลิคอนไดฟอสไฟด์ที่มีโครงสร้างผลึกแบบชั้นเดี่ยวมีรูปแบบผลึกที่เสถียรและมีโอกาสเกิดขึ้นได้ 2 รูปแบบที่มีโอกาสสังเคราะห์ขึ้นได้ในห้องทดลองคือ x = 0.5 และ x = 0.75 ซึ่งทั้งสองรูปแบบนั้นยังคงมีลักษณะโครงสร้างผลึกแบบออร์ธอรอมบิกเฟส (orthorhombic phase) และมีช่องว่างแถบพลังงานอยู่กึ่งกลางระหว่างระหว่างซิลิคอนไดฟอสไฟด์และซิลิคอนไดอาร์เซไนด์ ทำให้มีความเป็นไปได้ที่จะนำไปประยุกต์ใช้เป็นเซนเซอร์ตรวจวัดระนาบโพลาไรซ์และตัวเร่งปฏิกิริยาต่าง ๆ ในอนาคตth
dc.language.isoth
dc.publisherSilpakorn University
dc.rightsSilpakorn University
dc.subjectซิลิคอนไดฟอสไฟด์th
dc.subjectซิลิคอนไดอาร์เซไนด์th
dc.subjectทฤษฎีฟังก์ชันนอลความหนาแน่นth
dc.subjectสารละลายของแข็งth
dc.subjectโครงสร้างผลึกแบบชั้นเดียวth
dc.subjectSilicondiphosphideen
dc.subjectSilicondiarsenideen
dc.subjectdensity functional theory (DFT)en
dc.subjectsolid-solutionen
dc.subjectmonolayer crystal structureen
dc.subject.classificationMaterials Scienceen
dc.subject.classificationProfessional, scientific and technical activitiesen
dc.subject.classificationPhysicsen
dc.titleTheoretical study of thermodynamic and electronic properties of Si(Px As(1-x))2 solid solutions by using density functional theoryen
dc.titleการศึกษาเชิงทฤษฎีด้านสมบัติทางอุณหพลศาสตร์และอิเล็กทรอนิกส์ของสารละลายของแข็งซิลิคอนไดฟอสไฟด์อาร์เซไนด์ (Si(Px As(1-x))2) ด้วยทฤษฎีฟังก์ชันนอลความหนาแน่นth
dc.typeThesisen
dc.typeวิทยานิพนธ์th
dc.contributor.coadvisorMontri Aiempanakiten
dc.contributor.coadvisorมนตรี เอี่ยมพนากิจth
dc.contributor.emailadvisormontri_pak@hotmail.com
dc.contributor.emailcoadvisormontri_pak@hotmail.com
dc.description.degreenameMaster of Science (M.Sc.)en
dc.description.degreenameวิทยาศาสตรมหาบัณฑิต (วท.ม)th
dc.description.degreelevelMaster's Degreeen
dc.description.degreelevelปริญญาโทth
dc.description.degreedisciplinePHYSICSen
dc.description.degreedisciplineฟิสิกส์th
Appears in Collections:Science

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
640720030.pdf5.02 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.